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射频晶体管

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DU28200M

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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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数量单价合计
1
¥1,451.4285
1451.4285
2
¥1,427.2239
2854.4478
5
¥1,403.7877
7018.9385
10
¥1,381.1199
13811.199
25
¥1,331.3321
33283.3025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
商标
MACOM
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DU28200M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:3909
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
参考库存:3910
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥178.1106
参考库存:17396
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
50:¥2,004.5974
参考库存:17399
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
1:¥250.0351
10:¥242.7353
参考库存:4078
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