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射频晶体管
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UF28100V

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
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1
¥1,137.9213
1137.9213
2
¥1,118.9486
2237.8972
5
¥1,100.5748
5502.874
10
¥1,082.8338
10828.338
25
¥1,043.7923
26094.8075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
1.5 S
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF28100V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3091NR5
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1:¥837.782
5:¥821.4987
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25:¥760.7951
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100:¥0.9605
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MRF6S20010GNR1
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5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
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NESG7030M04-EV58-A
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暂无价格
参考库存:16793
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250:¥908.1697
参考库存:16796
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