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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

优势价格，TGF2941的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBTH10-TP	Micro Commercial Components (MCC)	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA	1:¥2.2261 10:¥1.4238 100:¥0.69947 1,000:¥0.4068 3,000:¥0.30736	参考库存:7639
MS2210	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	1:¥2,284.6792 5:¥2,217.5233 10:¥2,078.748 25:¥2,029.2653	参考库存:17192
BFR193FH6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.1527 10:¥2.2713 100:¥1.03734 1,000:¥0.79891 3,000:¥0.68365	参考库存:6564
AFT31150NR5	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz	1:¥1,566.5416 5:¥1,531.5794 10:¥1,500.2219 25:¥1,478.0965 50:¥1,424.3876	参考库存:3728
MRF141G	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB	1:¥1,207.3824 10:¥1,180.3415	参考库存:3720