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射频晶体管
T1G4004532-FL参考图片

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T1G4004532-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
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数量单价合计
1
¥1,844.16
1844.16
25
¥1,664.3544
41608.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
技术
GaN SiC
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
高度
4.064 mm
长度
20.3 mm
宽度
5.842 mm
商标
Qorvo
闸/源截止电压
- 2.9 V
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
36
子类别
Transistors
零件号别名
1092442
商品其它信息
优势价格,T1G4004532-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:5237
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:3330
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:14973
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:21697
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:1507
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