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射频晶体管
T1G4004532-FL参考图片

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T1G4004532-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
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数量单价合计
1
¥1,844.16
1844.16
25
¥1,664.3544
41608.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
技术
GaN SiC
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
高度
4.064 mm
长度
20.3 mm
宽度
5.842 mm
商标
Qorvo
闸/源截止电压
- 2.9 V
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
36
子类别
Transistors
零件号别名
1092442
商品其它信息
优势价格,T1G4004532-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥18.2834
10:¥16.7466
25:¥15.2098
100:¥13.7521
1,000:¥10.2943
参考库存:4852
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:16451
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,673.9464
2:¥3,371.355
5:¥3,025.575
10:¥2,420.46
25:¥2,334.015
参考库存:16454
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:3062
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5017HS-1GHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:16459
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