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射频晶体管
T1G4004532-FL参考图片

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T1G4004532-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
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25
¥1,664.3544
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
技术
GaN SiC
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
100 V
Pd-功率耗散
45 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
高度
4.064 mm
长度
20.3 mm
宽度
5.842 mm
商标
Qorvo
闸/源截止电压
- 2.9 V
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
36
子类别
Transistors
零件号别名
1092442
商品其它信息
优势价格，T1G4004532-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STAC2943
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:16262
QPD1018
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:2775
D1022UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥986.7047
参考库存:16267
PD85035S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:16270
GTVA263202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,866.1385
参考库存:16273
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