您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
MRF141参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRF141

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
优势价格,MRF141的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
50:¥232.667
100:¥201.2417
250:¥189.1846
500:¥177.8055
参考库存:17476
射频晶体管
WiFi / 802.11 Development Tools Shield for W2CBW0016 Module
暂无价格
参考库存:17479
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:10694
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
1:¥1,170.8156
5:¥1,147.7636
10:¥1,094.2807
25:¥1,071.3078
参考库存:17484
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:4307
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们