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射频晶体管
CGHV1J025D-GP4参考图片

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CGHV1J025D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
高度
100 um
长度
1.92 mm
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3V
商品其它信息
优势价格，CGHV1J025D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1053UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
50:¥1,194.5569
参考库存:14741
MRFE6VP5600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,431.5292
5:¥1,399.6406
10:¥1,370.9838
25:¥1,350.7681
50:¥1,301.6696
参考库存:1282
BFU520XRVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:14746
BFR 181 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:6668
A2T18H455W23NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
150:¥1,042.1086
参考库存:14751
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