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射频晶体管
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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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¥4,425.984
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1016的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:4100
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1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
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100:¥251.9561
250:¥247.6508
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1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
参考库存:17601
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