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射频晶体管
CGHV60075D5参考图片

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CGHV60075D5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
41.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
3000 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 10 V, + 2 V
零件号别名
CGHV60075D5-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60075D5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10014
D1027UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
50:¥1,279.612
参考库存:17968
STAC0912-250
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:17971
MRF8S9220HSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:17974
CGH55015F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
1:¥528.049
参考库存:4540
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