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射频晶体管
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BLX15

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数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
10 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装
Tray
工作频率
28 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
最大直流电集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
233 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLX15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G26H280-04SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
250:¥892.8808
参考库存:16828
AGR18125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
10:¥874.055
30:¥774.163
50:¥699.244
100:¥674.271
参考库存:16831
BFR182E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:7902
PH3134-75S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:16836
PTFC261402FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥646.5295
参考库存:16839
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