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射频晶体管
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MAAM-009455-TR1000

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
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49720
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
MESFET
技术
GaAs
增益
20.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
375 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-20
封装
Reel
工作频率
1 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
RF JFET
类型
GaAs MESFET
商标
MACOM
NF—噪声系数
5.5 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MAAM-009455-TR1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1517NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:4772
PTVA120251EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:17752
DSC5G03T0L
Panasonic
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射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.6894
10:¥1.7515
100:¥0.82264
500:¥0.62263
3,000:¥0.3842
参考库存:9379
MAPRST0912-350
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:4257
BF998E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:12597
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