您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
射频晶体管
STAC1214-250参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

STAC1214-250

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：16,605(价格仅供参考)
数量单价合计
15
¥1,219.2926
18289.389
30
¥1,202.2409
36067.227
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
14 dB
输出功率
260 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
系列
STAC1214-250
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
928 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，STAC1214-250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09H310-04GSR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
参考库存:16622
AGR18060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
1:¥783.768
5:¥719.2224
10:¥645.456
25:¥571.6896
参考库存:16625
MRFE6VP8600HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:3163
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:16630
PTFC262157FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥945.6744
参考库存:16633
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-83266697

手机：19129493934

传真：0755-83267787

Email: lucy@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-83266697

微信联系我们 微信扫码联系我们