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射频晶体管
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PD55008S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
250
¥89.1344
22283.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
1.190 g
商品其它信息
优势价格，PD55008S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STAC4933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET
1:¥848.3136
5:¥832.7196
10:¥795.2149
25:¥768.7051
参考库存:3415
RF2317PCK-75OHM
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暂无价格
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参考库存:16876
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100:¥44.7932
300:¥41.8778
500:¥39.1093
1,000:¥36.5781
2,500:¥36.4199
参考库存:3578
MRF1511NT1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.7556
10:¥76.9982
25:¥73.6082
100:¥65.088
1,000:¥51.5619
参考库存:4401
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