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射频晶体管
BLT81,115参考图片

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BLT81,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.9104
159.104
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
9.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流
0.5 A
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934019790115
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BLT81,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥45.7989
10:¥36.8041
100:¥33.5836
250:¥30.2727
1,000:¥22.8938
参考库存:4294
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:5882
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:7864
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
15,000:¥0.64523
参考库存:10153
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:16991
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