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射频晶体管

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NSVMMBTH10LT1G

  • ON Semiconductor
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  • 射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.3221
132.21
1,000
¥0.99101
991.01
3,000
¥0.85315
2559.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MMBTH10L
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
ON Semiconductor
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVMMBTH10LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V
1:¥259.335
25:¥233.4354
100:¥210.0783
250:¥193.2526
参考库存:3421
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
1:¥507.5282
10:¥477.6397
25:¥462.6559
50:¥447.7512
参考库存:3355
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:16812
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
75:¥772.5471
100:¥748.0374
参考库存:16815
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:16818
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