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射频晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	19.4 dB
输出功率	75 W
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 3.6 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132691

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SD3933	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	1:¥1,081.6021 5:¥1,060.392 10:¥1,010.9884 25:¥989.6992	参考库存:16435
MMRF1007HR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V	50:¥4,765.0744	参考库存:16438
MRFE6VP61K25GNR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V	150:¥1,033.5771	参考库存:16441
CGHV40100F	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt	1:¥2,507.4474	参考库存:3051
MAPR-002731-115M00	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1	5:¥2,516.4309	参考库存:16446