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射频晶体管
BF861B,235参考图片

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BF861B,235

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.5426
45.426
25
¥4.0906
102.265
100
¥3.5934
359.34
10,000
¥1.7741
17741
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
15 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
BF861
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
闸/源截止电压
1.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934034350235
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF861B,235的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT05MP075GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5472
MMRF1304LR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
50:¥540.8745
参考库存:5027
A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:18480
D1030UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 400W-28V-175MHz PP
50:¥1,916.932
参考库存:18483
ARF1519
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:5003
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