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射频晶体管
AFT20S015GNR1参考图片

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AFT20S015GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
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数量单价合计
1
¥224.757
224.757
5
¥214.926
1074.63
10
¥207.3889
2073.889
25
¥180.9582
4523.955
500
¥156.0643
78032.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
132 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.6 dB
输出功率
1.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
100 MHz to 3.6 GHz
系列
AFT20S015N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
11 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314968528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格，AFT20S015GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T09D400-23NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥942.6008
参考库存:18008
2SK3475TE12LF
Toshiba
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:5259
QPD1008
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4560
MRF136
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:4744
BFR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.63732
参考库存:11929
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