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射频晶体管
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PTFB201402FC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥548.8636
27443.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
16 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2010 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB201402FC-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥340.3221
参考库存:16241
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1:¥185.5686
25:¥160.5165
100:¥138.8544
250:¥129.0912
参考库存:2800
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:16246
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:16249
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:2781
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