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射频晶体管
BFR193E6327HTSA1参考图片

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BFR193E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4408
24.408
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.61472
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
193 BFR BFR193E6327XT E6327 SP000011056
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR193E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
1:¥2.9945
10:¥2.1131
100:¥0.97632
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.63732
参考库存:11929
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:18019
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥13,766.4962
参考库存:18022
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥3,627.9215
参考库存:18025
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:18028
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