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射频晶体管
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MRF151A

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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¥572.1529
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
244-4
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
416 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF151A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:18052
PH2731-75L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,487.469
参考库存:18055
MMRF1024HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1024HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,167.3578
5:¥1,141.30
10:¥1,117.9429
25:¥1,101.4223
50:¥1,061.4655
参考库存:18058
D1201UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥379.7478
参考库存:18061
MMRF1009HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:18064
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