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射频晶体管

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DU1260T

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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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10
¥1,347.3894
13473.894
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
商标
MACOM
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DU1260T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4520
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:15906
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
250:¥759.2583
参考库存:15909
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
1:¥579.2945
10:¥511.5284
25:¥453.9662
50:¥406.5627
参考库存:15912
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
50:¥1,171.9682
参考库存:15915
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