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射频晶体管
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MRF171

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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数量单价合计
1
¥353.464
353.464
10
¥306.9758
3069.758
25
¥288.5342
7213.355
50
¥267.7874
13389.37
100
¥253.8771
25387.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
115 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC260602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥530.7384
参考库存:15470
QPD1015L
Qorvo
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1:¥1,037.34
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100:¥776.084
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A2T08VD021NT1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
1,000:¥95.0556
参考库存:15475
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1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.84524
参考库存:10977
D1094UK
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥495.1547
100:¥489.4708
参考库存:15480
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