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射频晶体管
BF510,215参考图片

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BF510,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最大漏极/栅极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
0.0001 S
闸/源截止电压
0.8 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933505270215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BF510,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:12359
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:9741
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:5480
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
1:¥1,028.4243
5:¥1,008.4459
10:¥975.1787
25:¥933.9111
50:¥921.0856
参考库存:17090
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
1:¥215.5362
5:¥213.3101
10:¥198.8574
25:¥189.953
500:¥154.1433
参考库存:4188
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