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射频晶体管
PXAC182908FV-V1-R250参考图片

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PXAC182908FV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,036.2665
259066.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
15 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC182908FV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS19,215
Nexperia
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
参考库存:10873
MMRF1022HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1022HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:18375
AFT18H356-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
150:¥1,174.2734
参考库存:18378
MRF559LF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4940
MZ0912B100Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:18383
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