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射频晶体管
BFP842ESDH6327XTSA1参考图片

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BFP842ESDH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.3899
1389.9
3,000
¥1.1865
3559.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP842
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
3.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4.1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
450
工作频率
60 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
120 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
842ESD BFP BFP842ESDH6327XT H6327 SP000943012
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，BFP842ESDH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGHV1F006S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
1:¥343.859
250:¥343.859
参考库存:4813
MHT2025NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥211.9993
参考库存:17737
MMRF1004GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:17740
DRF1200
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:4252
D1031UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
100:¥247.8881
250:¥243.6619
参考库存:17745
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