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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.45 V
在25 C的连续集电极电流	220 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	536 W
封装 / 箱体	TO-247-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	6 g

商品其它信息

优势价格，APT150GN60B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN6068LK3Q-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 2,500:¥1.8419	参考库存:15890
BC848W,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11	1:¥0.92208 10:¥0.89157 100:¥0.31527 1,000:¥0.2147 10,000:¥0.13786 20,000:查看	参考库存:21693
RN2313,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V	1:¥1.4577 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.29154 3,000:¥0.2147	参考库存:15895
AUIRFZ44ZS	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms	1:¥15.5262 10:¥13.1419 100:¥10.5316 500:¥9.2208	参考库存:15898
PMPB95ENEA/FX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMPB95ENEA/F/SOT1220/REEL 7" Q	3,000:¥1.2543 9,000:¥1.1639 24,000:¥1.10627 45,000:¥1.07576	参考库存:15901