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晶体管
BSZ028N04LSATMA1参考图片

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BSZ028N04LSATMA1

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库存:6,862(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9438
594.38
500
¥5.2432
2621.6
5,000
¥3.6725
18362.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSZ028N04LS SP001067016
商品其它信息
优势价格,BSZ028N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:9087
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:6223
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:11319
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
5,000:¥6.2489
10,000:查看
参考库存:14103
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,000:¥2.2939
参考库存:8005
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