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晶体管
IPB80P03P4L-07参考图片

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IPB80P03P4L-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:5,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0512
705.12
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB80P03P4L07ATMA1 IPB8P3P4L7XT SP000396288
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P03P4L-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:27890
晶体管
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1,000:¥13.9894
2,000:¥13.2888
5,000:¥12.8368
参考库存:27893
晶体管
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1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
5,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:27896
晶体管
MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
1:¥6.5314
10:¥5.198
100:¥3.955
500:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.3617
参考库存:7572
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:27901
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