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晶体管
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DMN2230U-7

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库存:9,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
3,000
¥1.1752
3525.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
600 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN22
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2230U-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 300mW 2mW
569:¥11.9102
1,000:¥9.831
2,500:¥8.8366
10,000:¥8.4524
参考库存:17481
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:17484
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:17487
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:3390
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 232A 1.5MO
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
1,500:¥13.2888
4,500:查看
参考库存:4792
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