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晶体管
2SB1121S-TD-E参考图片

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2SB1121S-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 25V
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库存：7,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4465
34.465
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6159
1615.9
2,000
¥1.3786
2757.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-243-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.6 V
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1121
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
65
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SB1121S-TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF9910TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
4,000:¥3.5708
参考库存:7936
BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:24712
IKW25N120T2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3624
RCJ200N20TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
1,000:¥8.7575
参考库存:3582
FDMS0308AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2826
参考库存:5092
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