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晶体管
IRFHM830TRPBF参考图片

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IRFHM830TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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库存：7,731(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2884
52.884
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7233
2723.3
4,000
¥2.7233
10893.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566782
单位重量
66 mg
商品其它信息
优势价格，IRFHM830TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2484UA/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥199.0156
250:¥182.6532
500:¥173.8166
参考库存:36575
TP2540N3-G P014
Microchip Technology
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
暂无价格
参考库存:36578
RN2101MFV(TPL3)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:36581
2N6234
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥308.9759
250:¥282.3079
参考库存:36584
JANSF2N7261
Microsemi
晶体管
MOSFET RH Mosfet
1:¥2,906.5521
5:¥2,731.3569
参考库存:36587
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