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晶体管
IPP076N12N3 G参考图片

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IPP076N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,272(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
116 S, 58 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP076N12N3GXKSA1 IPP76N12N3GXK SP000652736
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP076N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:77445
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
1:¥45.878
10:¥39.0302
100:¥33.8096
250:¥32.0468
1,000:¥24.2837
2,000:查看
参考库存:4687
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.826
250:¥21.6734
1,000:¥16.3624
2,000:查看
参考库存:4516
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
1:¥3.0736
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:581416
晶体管
MOSFET 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
1:¥47.6408
10:¥43.1095
25:¥41.1094
100:¥35.6515
参考库存:3473
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