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晶体管
CGHV1J006D-GP4参考图片

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CGHV1J006D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10
¥245.2778
2452.778
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.8 A
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
840 um
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1J006D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6753TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 100V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:5955
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7911
参考库存:3383
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:8478
BSM200GB60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 200A DUAL
1:¥739.4268
5:¥725.8329
10:¥693.1759
25:¥670.1239
参考库存:3162
PZT3906
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.13
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72998
参考库存:14762
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