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晶体管
CGHV1J006D-GP4参考图片

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CGHV1J006D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10
¥245.2778
2452.778
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.8 A
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
840 um
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1J006D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:27724
FCP20N60
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
1,000:¥15.2889
参考库存:27727
TSM60NB190CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:27730
RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1
2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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