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晶体管
IKW15T120参考图片

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IKW15T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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库存:4,325(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
250
¥31.3462
7836.55
500
¥28.1257
14062.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW15T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.4579
3,000:¥4.0228
6,000:查看
参考库存:9957
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:5865
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:7144
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:9400
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:8685
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