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晶体管
IKW15T120参考图片

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IKW15T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
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库存:4,325(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7932
44.7932
10
¥38.1149
381.149
100
¥33.0412
3304.12
250
¥31.3462
7836.55
500
¥28.1257
14062.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW15T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
50:¥486.4763
100:¥473.3344
参考库存:30685
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
2,500:¥2.7459
10,000:¥2.6442
25,000:¥2.5538
参考库存:30688
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:4464
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥658.5979
参考库存:30693
晶体管
IGBT 晶体管 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
800:¥15.9104
2,400:¥15.142
4,800:¥14.5205
参考库存:30696
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