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晶体管
RN1901,LF(CT参考图片

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RN1901,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
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库存:16,935(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1901
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,RN1901,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2759
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:22874
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:22877
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0792
参考库存:2575
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 8.7 mo FET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4861
500:¥3.9663
1,000:¥3.1301
1,500:¥3.1301
参考库存:3269
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