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晶体管
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VRF150

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥413.0941
413.0941
5
¥390.7314
1953.657
10
¥386.2792
3862.792
25
¥357.2269
8930.6725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
18 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4.5 mS
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
3,000:¥11.752
6,000:查看
参考库存:6926
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
参考库存:31245
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:3683
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
3,000:¥7.0173
参考库存:7326
晶体管
MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:19438
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