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晶体管
IPN60R1K0CEATMA1参考图片

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IPN60R1K0CEATMA1

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库存:10,878(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1245
41.245
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9436
1943.6
3,000
¥1.6611
4983.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2.34 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPN60R1K0CE SP001434884
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,IPN60R1K0CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
2,500:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:25283
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:25286
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:25289
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:25292
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.7575
10:¥7.4354
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:7182
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