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晶体管
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AUIRGDC0250

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
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数量单价合计
1
¥46.2622
46.2622
10
¥41.7987
417.987
50
¥39.8777
1993.885
100
¥34.6571
3465.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.57 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
141 A
Pd-功率耗散
543 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
141 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511678
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:15821
DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
参考库存:15826
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:15829
DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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