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晶体管
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AUIRGDC0250

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
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1
¥46.2622
46.2622
10
¥41.7987
417.987
50
¥39.8777
1993.885
100
¥34.6571
3465.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.57 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
141 A
Pd-功率耗散
543 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
141 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511678
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2401,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25353
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:25356
NVMFS6B03NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.6678
参考库存:25359
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25362
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50 FAST IGBT FSII TO
1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4932
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