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晶体管
STGW30NC60VD参考图片

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STGW30NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH
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库存:3,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW30NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
21.09 mm
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW30NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET
1:¥52.8614
10:¥47.799
25:¥45.5616
100:¥39.4935
参考库存:2952
晶体管
MOSFET QF -400V 6.5OHM TO220
1:¥8.9157
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.198
参考库存:3340
晶体管
MOSFET Avalanche
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4555
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:4956
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥71.4612
10:¥64.6247
25:¥61.5511
100:¥53.4829
参考库存:3640
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