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晶体管
IKW25N120H3FKSA1参考图片

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IKW25N120H3FKSA1

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数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,IKW25N120H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.0736
10:¥1.5142
100:¥1.03734
500:¥0.85315
3,000:¥0.53788
9,000:查看
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
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1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
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晶体管
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1:¥255.0297
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25:¥224.6779
参考库存:2662
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Darl Amp
1:¥4.3844
10:¥3.7855
100:¥2.6216
1,000:¥1.9549
参考库存:3437
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