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晶体管
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F4-50R12KS4

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库存:3,526(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥788.9886
788.9886
5
¥774.4681
3872.3405
10
¥739.6641
7396.641
25
¥714.9962
17874.905
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.75 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
F450R12KS4BOSA1 SP000100431
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,F4-50R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:3933
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥39.7986
10:¥32.9621
100:¥27.12
250:¥26.2838
参考库存:2343
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
8,000:¥0.73789
参考库存:21066
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥42.1829
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
500:¥26.4307
参考库存:2012
晶体管
MOSFET 40V 100A N-Chnl Pwr Trench MOSFET
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
2,500:¥6.5992
5,000:查看
参考库存:6406
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