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产品分类

晶体管
TK17N65W,S1F参考图片

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TK17N65W,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:1,759(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.12
27.12
10
¥21.8203
218.203
100
¥19.8993
1989.93
250
¥17.9783
4494.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17.3 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK17N65W
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK17N65W,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:77450
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:5238
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
参考库存:6089
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:2539
晶体管
MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.486
参考库存:6289
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