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晶体管
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SPP18P06P H

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库存：3,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3958
639.58
500
¥5.65
2825
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.7 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
81.1 W
配置
Single
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
SPP18P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 nS
零件号别名
SP000446906 SPP18P06PHXKSA1 SPP18P6PHXK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP18P06P H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1517-20M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:40804
JANS2N2907AUBC
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
暂无价格
参考库存:40807
MX2N4093
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥617.2512
参考库存:40810
JAN2N5581
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
133:¥58.9408
250:¥54.1722
500:¥49.3358
1,000:¥42.9513
参考库存:40813
STL36N55M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
1:¥63.7772
10:¥57.63
25:¥54.9406
100:¥47.7199
3,000:¥34.804
参考库存:8351
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