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晶体管
IPW65R110CFDAFKSA1参考图片

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IPW65R110CFDAFKSA1

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库存:4,597(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.9406
54.9406
10
¥49.6409
496.409
25
¥47.3357
1183.3925
100
¥41.1094
4110.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.2 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
118 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFDA
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPW65R110CFDA IPW65R11CFDAXK SP000895236
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R110CFDAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode
1:¥3.4578
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:16570
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
5,000:¥1.9662
参考库存:16573
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:16576
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 30Vgs 20Vds 7.5mA
725:¥9.2999
1,000:¥7.684
2,500:¥6.9043
10,000:¥6.6331
参考库存:16579
晶体管
MOSFET MOSFET 75V D2PAK
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6614
参考库存:3182
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