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晶体管
DGTD65T15H2TF参考图片

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DGTD65T15H2TF

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库存:5,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.3733
8373.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
ITO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
48 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,DGTD65T15H2TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2885
参考库存:3758
晶体管
MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:5454
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
1:¥40.567
10:¥33.5836
100:¥27.6624
250:¥26.8149
参考库存:3273
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:3780
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:9280
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