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晶体管
STI150N10F7参考图片

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STI150N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package
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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STI150N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,STI150N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.34578
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参考库存:74534
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1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
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1,000:¥2.7459
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1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:8358
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