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晶体管
STGB10NC60HDT4参考图片

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STGB10NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
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库存:5,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NC60HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB10NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
1,500:¥1.356
参考库存:5146
晶体管
MOSFET 100V 170mA N-Channel
1:¥2.0792
10:¥1.3899
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:983956
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
参考库存:4787
晶体管
MOSFET 60A exposed top Intg PowIRstage
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
3,000:¥33.8096
参考库存:11846
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.7574
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:6956
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