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晶体管
SIS892DN-T1-GE3参考图片

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SIS892DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.1474
1014.74
500
¥7.91
3955
1,000
¥6.3732
6373.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIS892DN-GE3
商品其它信息
优势价格，SIS892DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRLS4030-7TRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 100V 190A 3.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
800:¥20.1366
2,400:查看
参考库存:5155
FCH150N65F-F155
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SF2 650V 150MOHM F TO247L
1:¥29.5834
10:¥25.1312
100:¥21.8203
250:¥20.6677
参考库存:4476
IRFU220PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥6.5314
10:¥5.198
参考库存:4579
NGB8245NT4G
Littelfuse
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 20A, 450V NCHANNEL
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.4184
800:¥6.4071
参考库存:5035
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A I2PAK-3
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:4548
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