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晶体管
SI7898DP-T1-E3参考图片

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SI7898DP-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.91
3955
3,000
¥7.91
23730
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
4.8 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SI7898DP-T1
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7898DP-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
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45,000:¥0.27685
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9,000:¥0.73789
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3,000:¥1.9097
9,000:¥1.8419
24,000:¥1.7628
45,000:¥1.7402
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晶体管
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3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:29900
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