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晶体管
APT150GN60JDQ4参考图片

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APT150GN60JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥270.3977
270.3977
5
¥258.2615
1291.3075
10
¥250.1933
2501.933
25
¥229.9098
5747.745
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
536 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT150GN60JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N4033UB/TR
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥250.4193
250:¥229.8307
参考库存:36326
TPCA8104(TE12L,Q,M
Toshiba
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暂无价格
参考库存:36329
JANTXV2N3866AUB
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥373.6006
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100:¥259.7192
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参考库存:36335
JAN2N3418S
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:36338
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